رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی

در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجاز ا نرژی، ساز وکار رسانش ازتشدیدی به تونل زنی تبدیل شده و در نهایت تعداد مدهای رسانش و در نتیجه رسانش کل کاهش می یابد.